机译:用于量子级联激光器的LP-MOVPE生长和高Si掺杂InGaAs接触层的性能
InGaAs/InP heterostructures; silicon-doping; InGaAs plasmon-contact layer; quantum cascade lasers;
机译:用于量子级联激光器的LP-MOVPE生长和高Si掺杂InGaAs接触层的性能
机译:量子级联激光器中低压金属有机气相外延生长的InGaAs / AlInAs超晶格的技术和性能
机译:关于应变补偿GaAsp层在人工Ge / Si基材上以上1100nm以上的波长发射的indaas / gaas量子孔激光异质结构的应用
机译:InGaAs阱层的低温生长获得的高功率,高可靠性的1.06 / splμm/ m InGaAs应变量子阱激光二极管MOVPE
机译:GasMBE生长和应变层磷化铟镓砷化铟铝砷化铟量子级联激光器的表征。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:优化IN0.52AL0.48AS的MBE生长条件为INGAAS / INALAS / INP量子级联激光器的波导层
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用