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Method for determination of the degree of compensation for electrically active impurities in multivalley semiconductors

机译:测定多谷半导体中电活性杂质的补偿程度的方法

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摘要

A method for determination of the degree of compensation k = N_a/N_d for shallow impurities in n-Si crystals with a nondegenerate electron gas is suggested. Data facilitating practical determination of the degree of compensation are given.
机译:提出了一种确定具有未退化电子气的n-Si晶体中浅杂质的补偿度k = N_a / N_d的方法。给出了有助于实际确定补偿程度的数据。

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