机译:半导体激光器中阈值电流密度的温度依赖性(λ= 1050-1070 nm)
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机译:基于InGaAs / GaAs量子阱系统的半导体激光器中阈值电流的压力和温度依赖性
机译:高功率InGaAsP / GaAs(λ= 0.8μm)激光器的阈值电流密度J_(th)和差分效率η_d的温度依赖性
机译:量子点激光器的物理:阈值温度依赖性,内部损失效应和阈值电流密度
机译:使用叔丁基ar和叔丁基膦优化MOCVD生长以实现1.55微米低阈值电流激光器
机译:视网膜热损伤阈值取决于1319 nm过渡性近红外激光辐射的曝光时间
机译:GaInP /(AlyGa1-y)InP 670 nm量子阱激光器的阈值电流温度依赖性
机译:高功率InGaasp / Gaas(λ= 0.8微米)激光器的阈值电流密度Jth和微分效率Nd的温度依赖性