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彭海涛;
河北工业大学;
半导体激光器; 固体激光器; 量子阱混合; 光学损伤;
机译:基于腔内接触结构的低阈值和大功率氧化物限制的850 nm AlInGaAs应变量子阱垂直腔表面发射激光器
机译:量子阱混合技术增强大功率1.5μm集成超发光光源的光谱宽度
机译:1.3μm单模延伸腔增益加入激光器,使用溅射的SiO_2量子阱混合技术生产
机译:短腔DBR激光器使用量子阱混合技术与高速电吸收调制器集成在一起。
机译:垂直腔表面发射半导体激光器平台上的集成等离子体电路
机译:使用溅射siO 2量子阱混合技术生产的1.3 m m单模扩展腔GalnNas / Gaas激光器
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:量子阱混合技术制备量子阱红外探测器的方法
机译:量子阱混合技术改变量子阱红外探测器的波长响应的方法
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