大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯

摘要

本发明公开了一种大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯，其中包括：一镓砷衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作于衬底上；一下限制层，制作于缓冲层上；一下波导层，制作于下限制层上；一有源区，制作于下波导层上；一上波导层，制作于有源区上；一上限制层，制作于上波导层上；一欧姆接触层，制作于上限制层上；一双沟结构，刻蚀在欧姆接触层上，刻蚀深度至上波导层以内，形成脊形台面结构；一电流阻挡层，制作于欧姆接触层及双沟底部的上表面，在脊形台面顶部断开；一P面金属电极，制作于上表面；一N面金属电极，制作于衬底下表面。