机译:SiGe MEMS在低于250°C的处理温度下
Capacitive devices; Contact resistivity; Laser annealing; MEMS monolithic integration; Poly-SiGe; Surface micromachining;
机译:SiGe MEMS在低于250°C的处理温度下
机译:内部隔离层工艺对完全自对准的250 GHz SiGe:C HBT可靠性性能的影响:a-Si与氮化物
机译:低温氢化微晶硅锗(μcSiGe:H)在MEMS应用中的新颖用途
机译:用于温度低于250°C的MEMS应用的激光退火SiGe器件
机译:水热条件下的氨基酸:在25至250°C的温度和最高30.0 MPa的压力下,水性α-丙氨酸,β-丙氨酸,甘氨酸和脯氨酸的表观摩尔体积,表观摩尔热容量和酸/碱解离常数。
机译:基于WLMP和CS-SVR的双质量MEMS陀螺仪并行降噪与温度补偿处理
机译:采用0.25 µm SiGe:C BiCMOS工艺的RF-MEMS开关模块
机译:si和siGe合金的气源分子束外延中的表面过程(Gas Bron moleculaire Bundel Epitaxie van si en siGe Legeringen中的Oppervlakte processen)