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邹德恕; 陈建新; 沈光地; 高国; 杜金玉; 张时明; 袁颖; 王东凤; 邓军; W.X.Ni; G.V.Hansson;
北京工业大学电子工程系;
DepartmentofPhysics;
LinkopingUniversity;
s-58183Linkoping;
Sweden;
液氮温度; 硅双极晶体管; 增益; 设计;
机译:使用自对准外延SiGe基双极晶体管在液氮温度下30ps以下的ECL电路工作
机译:液氮温度下冷冻剂对滑石填充聚丙烯界面进行液氮温度及随后的热退火
机译:具有22 PS ECL栅极延迟的SiGe基波盖,SiGe基极双极技术在液氮温度下
机译:液氮温度下MOS和双极晶体管的操作
机译:室温和液氮温度下αβ-胡萝卜素和叶黄素的吸收光谱
机译:在室温和液氮温度下重新测定绝对结构因子和液氮温度
机译:液氮温度下sOI CmOs器件的工作原理
机译:在液氮温度下具有低噪声水平的氧化物超导体的约瑟夫森结器件
机译:在接近液氮温度的温度下测定自由和固有水分含量的装置
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