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机译:光刻胶在CMOS技术的离子注入中用作掩模材料:优化掩模厚度
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机译:镍硅化物接触技术,具有双近带边缘势垒高度,并集成在具有单个掩模的CMOS FinFET中
机译:行星旋转系统中大孔径凹面反射镜和荫罩设计的厚度均匀分布优化
机译:300毫米大批量生产中CMOS阱环植入掩模的所有湿法光刻胶剥离的合格率
机译:EUV掩模技术的主要挑战:光化掩模检测和掩模3D效果。
机译:优化脊柱跨越植入物:材料改性和表面处理技术的电流进展
机译:利用单一计算光刻框架优化从设计规则,源和掩模到全芯片:基于水平集方法的逆光刻技术(ILT)
机译:新型防护面具施工材料的优化。