机译:在CMOS流程中部分或全部抑制无选择屏蔽元件中的插接板插接的方法,其中用于低电压和高压晶体管的漏极扩展插接使用单独的制造步骤
公开/公告号US6413824B1
专利类型
公开/公告日2002-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED;
申请/专利号US20000589953
发明设计人 ALEC J. MORTON;AMITAVA CHATTERJEE;TAYLOR R. EFLAND;CHIN-YU TSAI;JAMES R. HELLUMS;MARK S. RODDER;
申请日2000-06-08
分类号H01L218/234;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:47:29