...
机译:采用65 nm CMOS技术的60 GHz,11.7%调谐范围压控振荡器的设计
Millimeter Wave; Quality Factor; Tapped Inductor; Variable Capacitor;
机译:采用65 nm CMOS技术的60 GHz,11.7%调谐范围压控振荡器的设计
机译:在65nm CMOS工艺中具有-2.5dBm,5.1%调谐范围,417GHz信号源以及栅极到漏极耦合的振荡器
机译:130-NM CMOS技术的15 GHz,电压控制环形振荡器的设计:优化中央频率和功耗
机译:一个60GHz的电压控制振荡器,180nm CMOS技术的3.6GHz调谐范围
机译:采用65nm CMOS技术的基于时间的低功耗,低失调5位1 Gs / S闪存ADC设计
机译:基于180nm CMOS技术的基于MEMS的振荡器设计
机译:采用90nm CMOS技术的140GHz基本模式压控振荡器