机译:不同p型接触层对氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的改进
a-SiGe:H thin film solar cells; Hydrogenated microcrystalline silicon oxide; p-type contact layer;
机译:不同p型接触层对氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的改进
机译:p-i-n非晶硅薄膜太阳能电池结构中透明导电氧化物与氢化p型非晶碳化硅层的界面特性分析
机译:以CuMg合金为背接触金属的n〜+掺杂层自由非晶硅薄膜太阳能电池的改进
机译:RF-PECVD中由(SiH4 + B2H6 + H2 + N2O)等离子体制备的p型氢化氧化硅薄膜中的蓝响应的改善,以用于非晶硅太阳能电池
机译:沉积条件对氢化非晶硅和硅锗合金(太阳能电池,薄膜晶体管)的结构,光电和器件性能的影响。
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:具有p型和n型氢化氧化硅层的薄膜非晶硅锗太阳能电池
机译:离子镀技术制备氢化非晶硅薄膜和薄膜太阳能电池的制备与表征。最终报告,1979年1月1日至1980年5月31日