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Method for manufacturing single cell thin film single crystal silicon solar cell, method for manufacturing back contact thin film single crystal silicon solar cell, and method for manufacturing integrated thin film single crystal silicon solar cell

机译:用于制造单电池薄膜单晶硅太阳能电池的方法,用于制造背接触薄膜单晶硅太阳能电池的方法以及用于制造集成薄膜单晶硅太阳能电池的方法

摘要

The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, particularly a solar cell, which is capable of forming a desired electrode pattern by a simple process at low cost. In the method, p-type semiconductor layers are formed on a silicon substrate, and a n-type semiconductor layer is formed on the p-type semiconductor layers, and partially removed in a predetermined pattern by laser abrasion to expose the p-type semiconductor layers, thereby forming an electrode pattern.
机译:本发明提供一种制造半导体器件,特别是太阳能电池的方法,其能够通过简单的工艺以低成本形成期望的电极图案。在该方法中,在硅衬底上形成p型半导体层,并且在p型半导体层上形成n型半导体层,并且通过激光磨蚀以预定图案部分地去除n型半导体层以暴露p型半导体。层,从而形成电极图案。

著录项

  • 公开/公告号JP4329183B2

    专利类型

  • 公开/公告日2009-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ソニー株式会社;

    申请/专利号JP19990292885

  • 发明设计人 松下 孟史;水野 真一;

    申请日1999-10-14

  • 分类号H01L31/04;H01L21/28;H01L21/3205;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:39:00

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