利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS 薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS 薄膜

摘要

公开了一种利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS薄膜。根据本发明的制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法包括如下步骤：(a步骤)通过共蒸发在500至600℃的衬底上沉积Cu、Ga和Se；(b步骤)在维持与a步骤相同的衬底温度的同时，通过共蒸发来沉积Cu、Ga、Se和In；和(c步骤)在降低衬底温度的同时，依次通过共蒸发沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发单独沉积Se。因此，与三步共蒸发法相比简化了工艺步骤，充分实现通过薄膜内晶体生长和Ga的组成分布获得的带隙分级的益处，从而使得能够提高加工效率。