机译:Ni / Hf堆积电极在HfO_2上同时控制功函数和界面氧化物厚度
机译:Ni / Hf堆积电极在HfO_2上同时控制功函数和界面氧化物厚度
机译:通过原子层沉积和氧控制帽沉积后退火制备的高k(k = 40)HfO_2栅堆叠的极度尺度化(〜0.2 nm)等效氧化物厚度
机译:AlN界面偶极对Ni有效功函数和Ni / HfO 2 sub> / In 0.53 sub> Ga 0.47 sub>作为栅堆叠的能带排列的影响
机译:带边缘有效的工作功能通过控制栅极 - 最后CMOS的HFO_2 / TIN界面组合物
机译:用于高级CMOS技术的反应溅射HfxSi yNz金属栅电极的功函数调整。
机译:非晶态Ni-Fe-Mo低氧化物与Ni网络耦合作为镍泡沫上的多孔纳米板阵列:用于整体水分解的高效耐用双功能电极
机译:界面氧和氮诱导的偶极子形成和空位钝化,以提高TiN / HfO sub 2门叠层中的有效功函数
机译:1998年3月8日至13日在德国schloss Ringberg举行的内部控制功能材料内部研讨会:电气和化学特性