公开/公告号CN102130294A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-07-20
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN201010284906.2
申请日2010-09-16
分类号H01L45/00;H01L27/24;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2023-12-18 02:56:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-30
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20110720 申请日:20100916
发明专利申请公布后的驳回
2011-08-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20100916
实质审查的生效
2011-07-20
公开
公开
机译: 具有高功函数电极的基于金属氧化物电阻的半导体存储器件
机译: 低温使用的MOS集成电路的构造-具有带低功函数的栅电极的耗尽型晶体管和使用高功函数材料的增强器件
机译: 包括EL层,具有高反射率和高功函数的电极的发光元件,显示装置,电子装置和照明装置