...
机译:通过抑制反向沟道电流来控制非晶态镓铟锌氧化物TFT的阈值电压控制
adsorption; amorphous semiconductors; gallium compounds; II-VI semiconductors; indium compounds; oxygen; passivation; plasma materials processing; semiconductor thin films; silicon compounds; thin film transistors; wide band gap semiconductors; zinc compounds;
机译:通过抑制反向沟道电流来控制非晶态镓铟锌氧化物TFT的阈值电压控制
机译:N_2O等离子体处理抑制了非晶铟镓锌氧化锌薄膜晶体管的温度相关亚阈值泄漏电流
机译:反向沟道刻蚀型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的阈值电压控制
机译:反向沟道刻蚀型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的阈值电压控制
机译:工程SiO2钝化铟镓锌氧化物TFTs以改善通道控制
机译:非晶铟 - 镓 - 氧化锌膜质量与薄膜晶体管性能的相关性研究
机译:正栅偏置应力下非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管阈值电压漂移的热能分析