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机译:基于ZnTaOx的电阻切换随机存取存储器
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机译:具有隧道势垒的基于Si_3N_4的电阻切换随机存取存储单元的电阻切换特性,适用于高密度集成和低功耗应用
机译:膜厚和Ar / O2比率对基于HfOx的电阻切换随机存取存储器的电阻切换特性的影响
机译:基于NIO Unipolar开关电阻随机存取存储器(RRAM)的不规则电阻开关特性及其机制
机译:电阻切换随机存取存储器(RRAM):对实际应用的分析,建模和表征
机译:基于TiO2的电阻式随机存取存储设备中的电阻切换的远程控制
机译:基于HFOX基电阻随机接入存储器中的多电阻切换模式的分析与仿真使用Memdiode
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。