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机译:外延前衬底注入提高n-SiC上GaN HEMT结构的垂直阻挡电压
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机译:在独立GaN衬底上具有790 V阻断电压的50 A垂直GaN肖特基势垒二极管
机译:在独立GaN衬底上具有1.6 kV的阻断电压的垂直GaN基沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:通过场板夹杂和衬底去除提高击穿电压并分析GaN HEMT
机译:高压GaN HEMT的栅极下沉阈值电压调整技术。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
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