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机译:1950℃注入后退火的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
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机译:1950摄氏度的Al +注入4H-SiC注入后退火:退火时间的相关性
机译:高温退火(T> 1650 c)对P型植入4H-SIC层的形态学和电性能的影响
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机译:退火离子注入碳化硅材料和器件的特性。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C注入后退火后的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:具有双基外延层的无植入4H-siC双极结晶体管