机译:1950℃注入后退火的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:1950摄氏度的Al +注入4H-SiC注入后退火:退火时间的相关性
机译:Al +植入4H-SiC的高温变量范围跳跃的大小效应
机译:DLTS对注入Al +离子和1950°C退火的p-i-n 4H-SiC垂直二极管的研究
机译:退火离子注入碳化硅材料和器件的特性。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C的Al +注入的4H-SiC的注入后退火:退火时间的相关性
机译:具有双基外延层的无植入4H-siC双极结晶体管