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机译:3C和4H SiC上的PECVD和热栅氧化物:对泄漏,陷阱和能量偏移的影响
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机译:硼掺杂栅极氧化物冲击对4H和6H-SiC N-MOSFET的比较研究
机译:界面陷阱对n型金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应的漏极泄漏电流的影响
机译:3C和4H SiC上的PECVD和热栅氧化物-对泄漏,陷阱和能量偏移的影响
机译:波长调制吸收光谱和低温光致发光研究4H SiC中自由激子的能级结构
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:具有氮化栅极氧化物的3C和4H-SiC MOS电容器的电荷俘获特性
机译:在图案化的4H / 6H-siC台面和悬臂上的3C-siC层的自由表面异质外延