机译:快速热处理过程中在Si(100),Si(III)和SOI衬底上生长硅化镁薄膜
A. Silicides; various; C. Heat treatment; C. Reaction synthesis; C. Thin films;
机译:快速热处理过程中在Si(100),Si(III)和SOI衬底上生长硅化镁薄膜
机译:与快速热处理器中的硅化钛膜瞬态热退火有关的可制造性问题
机译:Ni / Si(100)薄膜的快速热退火在850℃形成的硅化镍薄膜的结构和电学特性
机译:基材温度和真空退火对CDTE(LLL)/ Si(100)薄膜结构性能的影响
机译:使用脉冲阴极电弧沉积和快速热退火制备C54钛硅化物薄膜。
机译:通过硅衬底上溅射的Ge / Sn / Ge层的快速热退火合成Ge1-xSnx合金薄膜
机译:优先取向在Si(100)和(111)基板上迅速沉积的Al薄膜的生长
机译:快速热处理对si(100)衬底上均匀四方二硅化钨薄膜形成的影响