机译:(001)Al2O3和(100)CaF2衬底上优先(111)取向的Mg2Si薄膜的制备及其热电性能
机译:电子回旋共振等离子体溅射在Si(100)衬底上生长优先c轴取向的羟基磷灰石薄膜
机译:Pt(111)/ Ti / SiO2 / Si(100)衬底上溶胶-凝胶沉积(100)取向的CSBTi厚膜的处理和表征
机译:沉积在含有非常薄的Al层的Si(111)衬底上的AlN和GaN薄膜的生长和表征
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:LNO / Si衬底上沉积的Pb Yb1 / 2Nb1 / 2 O3-PbTiO3薄膜定向生长的温度依赖性
机译:(100)和(111)取向SrTiO3衬底上外延掺Hf的Bi4Ti3O12薄膜的各向异性电学性能