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机译:沃甘undershell的效果阴极发光性能的同轴GaInN /氮化镓multiple-quantum-shells纳米线
Meijo Univ, Dept Mat Sci & Engn, Tenpaku Ku, 1-501 Shiogamaguchi, Nagoya, Aichi 4688502, Japan;
energy of formation; point defects; aluminum gallium nitrideMetallorganic chemical vapor depositionCoaxialspatial distribution;
机译:使用AlGaN / GaN Bragg反射镜的应变AlGaN / GaN /蓝宝石和GaInN多量子阱表面LED的研究
机译:Algan Undershells在同轴增益/ GaN多量子壳纳米线上的结构和光学冲击
机译:GaInN / GaN和AlGaN / GaN量子阱中的电子和空穴限制
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:对GaN / Gainn / Algan量子井光学性质的压电场影响
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。