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机译:使用高工作压力等离子体增强的化学气相沉积在室温下沉积氧化硅膜:O-2流速的影响
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn 222 Wangsimni Ro Seoul 133719 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn 222 Wangsimni Ro Seoul 133719 South Korea;
Korea Inst Mat Sci Adv Funct Thin Films Dept Chang Won 641831 South Korea;
Korea Maritime &
Ocean Univ Dept Elect Mat Engn 727 Taejong Ro Busan 49112 South Korea;
Hanyang Univ Div Mat Sci &
Engn 222 Wangsimni Ro Seoul 133719 South Korea;
Silicon oxide; High working pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition; Thin films; Water permeation property;
机译:使用高工作压力等离子体增强的化学气相沉积在室温下沉积氧化硅膜:O-2流速的影响
机译:等离子体功率对低基底温度下超高频等离子体增强化学气相沉积法沉积氢化纳米晶立方碳化硅薄膜结构的影响
机译:室温高射频源功率对通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的氮化硅膜的影响
机译:前体流速对等离子体增强化学气相沉积法沉积低k SiOC(H)薄膜特性的影响
机译:低压和等离子体增强的氧化钼膜化学气相沉积。
机译:常压等离子体化学气相沉积法生长掺锌铜的抗菌氧化硅薄膜
机译:在低衬底温度下通过射频等离子体增强化学气相沉积法沉积的掺杂非晶硅和纳米晶硅的电子和结构性质