离子轰击对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜中残余氯的影响机制探讨

摘要

通过分析PECVD的特点，对残余氯的存在机制、等离子体场中离子轰击对氯分布的影响作了进一步的讨论，研究降低残余氯的方法。指出PECVDTiN生长中的柱状结构与沉积时等高于体的轰击对膜内氯向晶界、微孔表面等界面处偏聚的促进作用，是这些部位氯较膜内含量高的主要原因。提出了一种可有效降低残余氯的新工艺一循环氩离子轰击一PECVD TiN。