しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲

摘要

完全空乏型SOI MOSFETにおいて、基板バイアスによって調整可能なしきい電圧V{sub}(th)の範囲は、SOI-埋め込み酸化膜界面の反転·蓄積によって制限される。 本研究は、新たなデバイスパラメータγ'を導入することにょって、土の調整可能範囲の膜厚依存性について解析的に明らかにした。さらに、この解析結果を実証するため、ノンドープの長チャネルデバイスの実測、およびシミュルーションを行った。 実験の結束は解析結果とほぼ一致するものの、ややずれが生じる。 このずれの原因について、電子分布を考慮した定性的な考察も行った。