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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices >SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル－FBC (Floating Body Cell)
【24h】

SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル－FBC (Floating Body Cell)

机译：形成在SOI-FBC（浮体单元），用于混合加载的DRAM的存储单元

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摘要

SOI上にFBC(Floating Body Cell)とよぶ0.175μmメモリセルを試作し動作を確認した。 FBCは1トランジスタのゲインセルで,SOI上の混載DRAM用メモリとして適している。 今回,96 kbit ADM(Array Diagnostic Monitor)で99.77%のファンクション·イールドを得た。 また,電荷保持時間は85°Cにおいて500 msecであった。
机译：具有FBC（浮体单元）的0.175μm存储器电池在SOI上被突出，并确认了该操作。 FBC是一个晶体管的增益电池，适合作为SOI上混合负载的DRAM的存储器。 此时，用96 kbit Adm（阵列诊断监测仪）获得99.77％的功能产量。 此外，在85℃下电荷保留时间为500毫秒。

著录项

  • 来源
  • 作者

    南良博; 井納和美; 篠智彰; 山田浩玲; 中島博臣; 山田敬; 大澤隆; 東知輝; 藤田勝之; 池橋民雄; 梶山健; 福住嘉晃; 浜本毅司; 石内秀美; Yoshihiro MINAM; Kazumi INOH; Tomoaki SHINO; Hiroaki YAMADA; Hiroomi NAKAJIMA; Takashi YAMADA; Takashi OHSAWA; Tomoki HIGASHI; Katsuyuki FUJITA; Tamio IKEHASHI; Takeshi KAJIYAMA; Yoshiaki FUKUZUMI; Takeshi HAMAMOTO; Hidemi ISHIUCHI;

  • 作者单位

    National Institute for Fusion Science 322-6 Oroshi Toki 509-5292 Japan;

    National Institute for Fusion Science 322-6 Oroshi Toki 509-5292 Japan;

    National Institute for Fusion Science 322-6 Oroshi Toki 509-5292 Japan;

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    National Institute for Fusion Science 322-6 Oroshi Toki 509-5292 Japan;

    National Institute for Fusion Science 322-6 Oroshi Toki 509-5292 Japan;

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  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 微电子学、集成电路（IC）;
  • 关键词

    混載; メモリ; FBC; SOI; Embeded; Memory; DRAM;

    机译：膜;记忆;FBC;SOI;嵌入;记忆;DRAM;

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