应用于单粒子效应试验的存储单元可测性技术研究

摘要

随着半导体器件的关键尺寸越来越小，特别是进入深亚微米领域后，单粒子效应越来越影响航天用存储器设备的可靠性和寿命，容易引起存储单元中存储的数据发生单粒子翻转，因此人们设计出各种辐照加固电路结构的存储单元来增强存储器的抗单粒子效应的性能。本文针对辐照加固存储单元电路设计中存在的设计周期长，费用昂贵等问题，提出了一种应用于单粒了效应试验的存储单元可测性技术。