直接貼付InP／Si基板上GaInAsPレーザの貼付アニール温度依存性

摘要

シリコンフォトニクスにおける光源の問題を解決するために我々は、シリコン基板とInP薄膜層を直接貼付した基板上に結晶成長を行い、光デバイスを集積する方法を提案した。今回、InP／Si基板の貼付温度を350°C、400°C、450°Cと変化させ、それぞれのInP／Si基板の表面状態、およびその基板上にMOVPE成長したGaInAsPレーザ構造の電気特性と発振特性の評価を行った。