GaN基板のプラズマ融合CMP技術－エタノールバブリング·Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価

山崎直樹; 土肥俊郎; 會田英雄; 金聖祐; 大山幸希; 黒河周平; 佐野泰久; 白谷正治; 山西陽子

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GaN基板のプラズマ融合CMP技術－エタノールバブリング·Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価

机译：GaN底物等离子体融合CMP技术 - 血浆融合CMP特性使用乙醇鼓泡和血浆及其评价

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難加工材料であるSiC基板，GaN基板，ダイヤモンド基板の高能率加工に向けプラズマ融合CMPを考案·開発した．本稿では，加工コスト削減を目指し，プラズマ融合CMPのプラズマ発生用ガスに対して，従来用いていたHeガスからArガスへの置換を試みた．エタノールバブリングとArガスを併用した結果，Heガス総量の半分をArガスへ置換することに成功し，ガスコストを4割削減することが出来たと同時に，GaN基板の高能率加工の実現にも成功した．

机译：设计并开发了等离子体融合CMP，用于高效加工SiC基板，GaN基板和金刚石基材，这是难以工作的材料。在本文中，我们旨在降低处理成本，并试图将血浆融合的CMP替换为常规用于AR气体的气体的血浆生成气体。由于使用乙醇鼓泡和Ar气体，他的气体总量的一半被Ar气体取代，同时可以降低气体成本，可以实现GaN板的高效加工。底部。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 有機エレクトロニクス. Organic Material Electronics》 |2017年第8期|共5页
作者
山崎直樹; 土肥俊郎; 會田英雄; 金聖祐; 大山幸希; 黒河周平; 佐野泰久; 白谷正治; 山西陽子;
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作者单位

九州大学;

九州大学;

九州大学;

並木精密宝石（株）;

並木精密宝石（株）;

九州大学;

大阪大学;

九州大学;

九州大学;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类一般性问题;
关键词
プラズマ融合CMP; P-CVM; CMP; GaN; Arプラズマ; バブリング法; アーク放電; グロー放電;

机译：等离子体融合CMP;P-CVM;CMP;GAN;AR等离子体;冒泡方法;电弧放电;焕发放电;

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