10400V耐圧AlGaN/GaN HFET

摘要

我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗なAlGaN/GaN HFETを開発することに成功した。 本開発では、サファイアを貫通するビアホールを形成することでドレイン電極を基板裏面に配置し、ウエハ表面での高電圧配線の引回しによる耐圧低下を回避した。 また、縁破壊電界が高い多結晶AlN膜を用いることでフィールドプレート直下でのパッシベーション膜の絶縁破壊を抑制し、高電圧にも耐えるフィールドプレートを実現した。 作製したAlGaN/GaN HFETは良好なトランジスタ特性を示し、耐圧10400V、オン抵抗186mΩcm^2を得た。 これまでに報告されたGaN系トランジスタの中で最も高い耐圧を実現することができた。