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机译:10400V耐压AlGaN / GaN HFET
松下電器産業株式会社半導体デバイス研究センター;
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Semiconductor Device Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd;
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Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company;
Semiconductor Device Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd;
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GaN; 高耐圧; サファイア基板; ビアホール; フィールドプレート; パワーデバイス; 低オン抵抗; GaN; high breakdown voltage; Sapphire substrate; via-hole; field plate; high power switching device; low specific on-state resistance;
机译:10400V耐压AlGaN / GaN HFET
机译:10400V耐压AlGaN / GaN HFET
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