高耐圧AlGaN/GaN FETのPFC回路評価

摘要

Si基板上のGaN系デバイスは、ローコストかつ低損失な次世代電源用デバイスとして期待されている。今までに我々はパワーAlGaN/GaN SBDを作製しPFC（力率改善）回路での実機動作を実証した。今回、破壊電圧750V以上のAlGaN/GaNFETをPFC回路に搭載しその特性を評価した。