РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИАГНОСТИКА МНОГОСЛОЙНЫХ НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУР In_(0.52)Аl_(0.48)Аs/In_(0.53)Gа_(0.47)Аs/In_(0.52)Al_(0.48)As С НАНОРАЗМЕРНОЙ ВСТАВКОЙ InAs В КВАНТОВУЮ ЯМУ

А. Е. Благов; Г. Б. Галиев; Р. М. Имамов; Е. А. Климов; О. А. Кондратьев; Ю. В. Писаревский; П. А. Просеков; С. С. Пушкарев; А. Ю. Серегин; М. В. Ковальчук

首页> 外文期刊>Кристаллография >РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИАГНОСТИКА МНОГОСЛОЙНЫХ НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУР In_(0.52)Аl_(0.48)Аs/In_(0.53)Gа_(0.47)Аs/In_(0.52)Al_(0.48)As С НАНОРАЗМЕРНОЙ ВСТАВКОЙ InAs В КВАНТОВУЮ ЯМУ

【24h】

РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИАГНОСТИКА МНОГОСЛОЙНЫХ НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУР In_(0.52)Аl_(0.48)Аs/In_(0.53)Gа_(0.47)Аs/In_(0.52)Al_(0.48)As С НАНОРАЗМЕРНОЙ ВСТАВКОЙ InAs В КВАНТОВУЮ ЯМУ

机译：作为X射线诊断HEMT多层异质结构IN_（0.52）AL_（0.48）/ IN_的As（0.53）Ga_（0.47）/ IN_（0.52）AL_（0.48）与纳米级插入的InAs量子阱

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面封底 >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлены результаты исследования НЕМТ-гетероструктур In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Gа_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As на подложках InP с упруго напряженной вставкой InAs в составную квантовую яму. Применен подход на основе сочетания рентгеновских методов двухкристальной дифрактометрии, рефлектометрии и картирования обратного пространства, позволивший получить детальную взаимодополняющую информацию о слоистой и реальной кристаллической структуре исследуемых образцов. Получены данные, позволившие провести структурную диагностику исследуемых многослойных систем и сопоставить их с заданными технологическими параметрами, что позволяет корректировать и совершенствовать технологию выращивания НЕМТ-гетероструктур.

机译：净异质结构IN_（0.52）AL_（0.48）的研究结果为/ IN_（0.53）GA_（0.47），如INP衬底上的IN_（0.52）AL_（0.48），其具有弹性应力的插图插入复合量子薯。基于芸黑衍射法的X射线方法的组合，反射率和反向空间测绘的方法施加一种方法，这使得可以获得关于研究下样品的层状和实际晶体结构的详细互补信息。获得了数据，允许研究的多层系统的结构诊断，并将其与给定的技术参数进行比较，这使得可以调整和改善净异质结构的技术。

著录项

来源
《Кристаллография》 |2017年第3期|共9页
作者
А. Е. Благов; Г. Б. Галиев; Р. М. Имамов; Е. А. Климов; О. А. Кондратьев; Ю. В. Писаревский; П. А. Просеков; С. С. Пушкарев; А. Ю. Серегин; М. В. Ковальчук;
展开▼
作者单位

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН Москва;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类晶体学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИАГНОСТИКА МНОГОСЛОЙНЫХ НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУР In_(0.52)Аl_(0.48)Аs/In_(0.53)Gа_(0.47)Аs/In_(0.52)Al_(0.48)As С НАНОРАЗМЕРНОЙ ВСТАВКОЙ InAs В КВАНТОВУЮ ЯМУ [J] . А. Е. Благов, Г. Б. Галиев, Р. М. Имамов, Кристаллография . 2017,第3期

机译：作为X射线诊断HEMT多层异质结构IN_（0.52）AL_（0.48）/ IN_的As（0.53）Ga_（0.47）/ IN_（0.52）AL_（0.48）与纳米级插入的InAs量子阱
2. СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НЕМТ-НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In_(0.52)Аl_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Аl_(0.48)As/InP С РАЗЛИЧНОЙ КОМБИНАЦИЕЙ НАНОВСТАВОК InAs И GaAs В КВАНТОВОЙ ЯМЕ [J] . Г. Б. Галиев, A. JI. Васильев, И. С. Васильевский, Кристаллография . 2015,第3期

机译：结构和电气特性的HEMT-nanogeterostruktur IN_（0.52）AL_（0.48）由于/ IN_（0.53）Ga_（0.47）由于/ IN_（0.52）AL_（0.48）由于/磷化铟与不同的组合NANOVSTAVOK的InAs和GaAs量子阱
3. Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As on InP Substrate [J] . V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, N.A. Yuzeeva, Acta Physica Polonica . 2013,第2期

机译：InP衬底上量子阱In_（0.52）Al_（0.48）As / In_（0.53）Ga_（0.47）As / In_（0.52）Al_（0.48）As的电子迁移率和光电导性的增强
4. Effect of Doping at the substrate/buffer layer interface on the rashba coefficient α in In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As asymmetric quantum wells [C] . Takaaki Koga, Junsaku Nitta, Stephane Marcet International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics . 2003

机译：掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_（0.52）Al_（0.48）AS / IN_（0.53）GA_（0.47）AS / IN_（0.52）AL_（0.48）中的效果，为非对称量子阱
5. Strained indium(0.52)aluminum(0.48)arsenide/indium(x)gallium(1-x)arsenide (x greater than 0.53) high electron mobility transistors (HEMT's) for microwave/millimeter -wave applications. [D] . Ng, Geok Ing. 1990

机译：应变的铟（0.52）铝（0.48）砷化物/铟（x）镓（1-x）砷化物（x大于0.53）高电子迁移率晶体管（HEMT），用于微波/毫米波应用。
6. Piezoelectric Properties of Pb1−xLax(Zr0.52Ti0.48)1−x/4O3 Thin Films Studied by In Situ X-ray Diffraction [O] . Thomas W. Cornelius, Cristian Mocuta, Stéphanie Escoubas, 2020

机译：PB1-Xlax（Zr0.52Ti0.48）的压电性能1-X / 4O3薄膜通过原位X射线衍射研究
7. Effect of an InP/In_{0.53}Ga_{0.47}As interface on spin-orbit interaction in In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As heterostructures [O] . Lin, Yiping, Koga, Takaaki, Nitta, Junsaku 2005

机译：InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
8. Low Frequency and Microwave Characterization of Submicron-Gate In(0.52)Al(0.48)As/In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)As Heterojunction Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Grown by Molecular-Beam Epitaxy. [R] . Eastman, L. F., Kuang, J. B., Tasker, P. J., 1989

机译：亚微米栅极In（0.52）al（0.48）as / In（0.53）Ga（0.47）as / In（0.52）al（0.48）的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。

РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИАГНОСТИКА МНОГОСЛОЙНЫХ НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУР In_(0.52)Аl_(0.48)Аs/In_(0.53)Gа_(0.47)Аs/In_(0.52)Al_(0.48)As С НАНОРАЗМЕРНОЙ ВСТАВКОЙ InAs В КВАНТОВУЮ ЯМУ

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅