РОЛЬ ЗАРЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В ФОТОПРОВОДИМОСТИ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛООБРАЗНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА SE_(95)AS_5 С ПРИМЕСЬЮ EuF_3

摘要

Исследованиями температурной зависимости темновой проводимости и стационарной фотопроводимости, люксамперной характеристики, а также спектрального распределения фототока предложен энергетический спектр локальных состояний, связанных с заряженными дефектами D~- и D~+, играющими существенную роль в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se_(95)As_5, содержащей примеси ЕuF_3. Показано, что примеси ЕuF_3 немонотонно изменяют концентрации указанных состояний: малые концентрации из-за химической активности ионов редкоземельного элемента и фтора, образуют химическое соединение с селеном и мышьяком, в результате чего уменьшается концентрация исходных собственных дефектов, а большие концентрации, согласно модели заряженных дефектов, в результате присутствия ионов Еu~(3+) приводят к уменьшению концентрации D~+-центров и к росту D~--центров. Оценены некоторые параметры модели заряженных дефектов, в частности величина эффективной корреляционной энергии U_(eff) (0.6 эВ) и энергия поляронной релаксации W~+ (0.4 эВ), W~- (0.45 эВ).