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掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

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摘要

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．

著录项

来源
《半导体学报：英文版》|1998年第6期|447-451|共5页
作者
陈张海; 陈忠辉; 刘普霖; 石晓红; 史国良; 胡灿明; 沈学础;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
LO声子; 掺杂; 半导体; 光电导响应;

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