Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO_2 в процессе быстрого термического отжига

摘要

Проведены исследования морфологии поверхности, спектров комбинациойного рассеяния света и фотолюминесценции структур-SiC/por-SiC/TiC>2 до и после быстрой термической обработки. Показано- что быстрая термическая обработка приводит к появлению в спектрах комбинационного рассеяния полос, характерных для соединений углерода. Анализ спектров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением, с энергией, меньшей ширины запрещенной, зоны в 6//-SiC, показал, что появление фотолюминесценции в гористом карбиде кремния связано с примесными состояниями, которые образуются на поверхности за счет продуктов химических реакций при травлении.