ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ИНЖЕКТОР COPT В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР INGAAS/GAAS

ЗДОРОВЕЙЩЕВ А.В.; ДОРОХИН М.В.; ДЕМИНА П.Б.; КУДРИН А.В.; ВИХРОВА О.В.; ВЕДЬ М.В.; ДАНИЛОВ Ю.А.; ЕРОФЕЕВА И.В.; КРЮКОВ Р.Н.; НИКОЛИЧЕВ Д.Е.

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ИНЖЕКТОР COPT В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР INGAAS/GAAS

【24h】

ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ИНЖЕКТОР COPT В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР INGAAS/GAAS

机译：铁磁INJECTOR COPT的发光二极管的肖特基BASED纳米级结构INGAAS / GAAS

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面封底 >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Показана возможность создания в спиновом светоизлучающем диоде InGaAs/GaAs ферромагнитного инжектора на основе сплава CoPt (с составом, близким к эквиатомному), имеющего ярко выраженную перпендикулярную анизотропию намагниченности. Проведено комплексное исследование физических свойств экспериментальных образцов спиновых светоизлучающих диодов. Получена циркулярно-поляризованная электролюминесценция сформированных диодов в нулевом магнитном поле за счет остаточной намагниченности слоев CoPt.

机译：示出了基于COPT合金（具有靠近Equitameth的组合物）在旋转发光二极管中在旋转发光二极管中产生InGaAs / GaAs的可能性，其具有明显的垂直磁化各向异性。进行了对旋转发光二极管实验样品物理性质的综合研究。由于COPT层的剩余磁化强度，零磁场中形成的二极管中所形成的二极管的圆偏振电致发光。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2015年第12期|共5页
作者
ЗДОРОВЕЙЩЕВ А.В.; ДОРОХИН М.В.; ДЕМИНА П.Б.; КУДРИН А.В.; ВИХРОВА О.В.; ВЕДЬ М.В.; ДАНИЛОВ Ю.А.; ЕРОФЕЕВА И.В.; КРЮКОВ Р.Н.; НИКОЛИЧЕВ Д.Е.;
展开▼
作者单位

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского физический факультет 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского физический факультет 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского физический факультет 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского физический факультет 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского физический факультет 603950 Нижний Новгород Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Methods for spin injection managing in inGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt spin light-emitting diodes [J] . Dorokhin M. V., Ved M. V., Demina P. B., Physics of the solid state . 2017,第11期

机译：IngaAs / GaAs / Al2O3 / Copt旋转发光二极管旋转注射管理方法
2. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures [J] . Zdoroveyshchev A. V., Dorokhin M. V., Demina P. B., Semiconductors . 2015,第12期

机译：基于InGaAs / GaAs纳米结构的发光肖特基二极管中的CoPt铁磁注入器
3. ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ИНЖЕКТОР COPT В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР INGAAS/GAAS [J] . ЗДОРОВЕЙЩЕВ А.В., ДОРОХИН М.В., ДЕМИНА П.Б., Физика и техника полупроводников . 2015,第12期

机译：基于INGAAS / GAAS纳米结构的发光肖特基二极管中的铁磁COPT注入器
4. Comparison of proton and arsenic implantation-induced intermixing in InGaAsP/InGaAs/InP and InAlGaAs/InGaAs/InP quantum wells [C] . Sichao Du, L. Fu, H. H. Tan, International Conference on Nanoscience and Nanotechnology . 2008

机译：ingaAsp / Ingaas / InP和Inalgaas / Ingaas / InP量子阱中晶体和砷植入诱导诱导的质子和砷植入植入的比较
5. Coherent Spectroscopy of InGaAs Quantum Dots =Koh?rente Spektroskopie an InGaAs Quantenpunkten [D] . Strau?, Stefan Maximilian. 2018

机译：Igaas量子点的相干壮观= koh？怨恨不同的区别和Ingaas Pollarts
6. Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot [O] . Tarek A Ameen, Hesameddin Ilatikhameneh, Archana Tankasala, 2018

机译：掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
7. InP-based lattice-matched InGaAsP and strain-compensated InGaAs/InGaAs quantum well cells for thermophotovoltaic applications [O] . Rohr, Carsten, Abbott, Paul, Ballard, Ian, 2006

机译：基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池，用于热光电应用
8. Monolithic Two-Dimensional Surface-Emitting Strained-Layer InGaAs/AlGaAs andAlInGaAs/AlGaAs Diode Laser Arrays with over 50% Differential Quantum Efficiencies [R] . Goodhue, W. D., Donnelly, J. P., Wang, C. A., 1991

机译：单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列，具有超过50％的差分量子效率

ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ИНЖЕКТОР COPT В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР INGAAS/GAAS

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅