スパッタ法による強誘電体薄膜形成技術

摘要

ジルコン酸チタン酸鉛（Pb，Zr）TiO_3（以下 PZT と略す）に代表される強誘電体材料は，超音波センサ，照明制御用の焦電センサ等に広く応用されている．強誘電体薄膜としては，PZT を用いたジャイロセンサ等の多くのデバイスに搭載され普及している．一方，PZT は有毒な鉛を含むため近年鉛を含まない（非鉛系や無鉛系と呼ばれている）強誘電体材料の開発が盛hとなってきている．本稿では，京都大学ナノテクノロジー拠点（以下ナノハブ）においで開発した PZT 薄膜および非鉛系の一つである（K，Na）NbO_3（以下 KNN と略す）の薄膜形成技術について報告する．