磁控溅射法制备PZFNT铁电薄膜的实验研究

摘要

采用RF磁控溅射法在12.7 cm的PZT/P t/T i/S iO2/S i基片上制备了PZFNT薄膜,后处理采用快速退火工艺,对不同退火温度的薄膜进行了分析。实验结果表明,采用PZT缓冲层对PZFNT薄膜的性能有显著的影响,可明显降低PZFNT薄膜的晶化温度,提高其介电和铁电性能。在优化工艺条件下,可获得介电常数和损耗分别为1 328和3.1%,剩余极化和矫顽场分别为29.8μC/cm2和46 kV/cm的铁电薄膜,该薄膜可望在铁电存储器和热释电红外探测器中得到应用。