強磁性酸化物スパッタ薄膜における電気磁気効果

摘要

我々は、Si基板上に反応性スパッタ法で作製したFe{sub}2O{sub}3-Bi{sub}2O{sub}3-PbTiO{sub}3系強磁性酸化物薄膜が、外部磁界の印加により室温で帯電率が変化し、また磁界印加によって電気分極が誘導され電気磁気効果を示すことを見出した。 しかし、磁性膜を誘電体とする試料の薄膜コンデンサにMIS構造による空乏層容量が寄生し、帯電率変化の値に影響を与えていることが分かった。 今回は、基板材料の改良による空乏層の影響の除去を中心に報告する。