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氧化物溅射靶及其制造方法、以及使用该氧化物溅射靶形成的氧化物薄膜

摘要

一种氧化物溅射靶,其特征在于,所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3,Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8,并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80%以上。一种氧化物溅射靶的制造方法,其特征在于,在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN111164233A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 捷客斯金属株式会社;

    申请/专利号CN201980004774.2

  • 发明设计人 奈良淳史;宗安慧;

    申请日2019-03-06

  • 分类号C23C14/34(20060101);C04B35/01(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人胡嵩麟;王海川

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 09:29:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20190306

    实质审查的生效

  • 2020-05-15

    公开

    公开

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