rfマグネトロンスパッタリング法によるガラス基板上GaドープZnO薄膜特性のGa濃度依存性

摘要

rfマグネトロンスパッタリング法によりGaドープZGO（GZO）膜をガラス基板上に作製した。 Ga濃度及び城阪混度の変化が、GZO膜の結晶構造、表面性状及び電気的、光学的特性に与える影響について調べた。 GZO膜の結晶構造はノり絹糸ウルツ鉱型であり、基板と垂直にc軸配向した。 本研究において最も低い抵抗率は5.2×10~(-4)Ω·cmであつた。 このときの条件はGa濃度が3．34wt.%、基板温度が150°Cである。 可視光平均透過率は全ての膜において約90%であった。