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一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法

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摘要

本发明公开了一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法，步骤如下：将Zn(CH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-19

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C18/12 申请公布日:20180911 申请日:20180317

发明专利申请公布后的撤回
2018-11-02

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C18/12 申请日:20180317

实质审查的生效
2018-09-11

公开

公开

1. 一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN108517514A . 2018-09-11
2. ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN103014655A . 2013-04-03
3. PREPARATION OF GA-AL DOPED ZNO THIN FILMS FOR OLED BY FACING TARGETS SPUTTERING METHOD [P] . 韩国专利： KR20130088528A . 2013-08-08

机译：面向靶溅射法制备用于OLED的GA掺杂Zno薄膜
4. СПОСІБ ОТРИМАННЯ ПРОЗОРОЇ ПЛІВКИ ZnO, ЛЕГОВАНОЇ АЛЮМІНІЄМ [P] . UA118645U . 2017-08-28

机译：铝掺杂透明ZnO薄膜的制备方法
5. Method for fabricating ZnO thin film doped with metal using magnetron co-sputtering [P] . 韩国专利： KR100739457B1 . 2007-07-19

机译：磁控共溅射制备金属掺杂ZnO薄膜的方法