射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga_2O_3薄膜的光学特性(英文)

闫金良; 张易军; 李清山; 曲崇; 张丽英; 李厅

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在不同氨分压比（0~30%）下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.

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来源
《光子学报》 |2011年第6期|852-856|共5页
作者
闫金良; 张易军; 李清山; 曲崇; 张丽英; 李厅;
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作者单位

鲁东大学物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
射频磁控溅射; 透明导电氧化物; 光学带隙; 退火; N掺杂β-Ga2O3;

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