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顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析

机译:微镜拉曼光谱法氮化物研磨细结构域的温度分布分析

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摘要

本研究では、III族窒化物半導体LED動作時の内部微細領域における温度分布を、顕微ラマン分光法により測定した。 その結果、LEDの面内において温度分布が存在することが確認され、LEDのp電極領域が高温であることが確認された。 また、本測定の優位な点として、深さ方向に対する測定も可能であり、半導体デバイスの3次元的な熱解析が可能であることが示唆される結果が得られた。
机译:在该研究中,通过微镜Maman光谱法测量III族氮化物半导体LED操作时内部细区域的温度分布。 结果,确认在LED的表面中存在温度分布,并且证实了LED的P电极区域是高温的。 而且,作为该测量的优越性,也可以在深度方向上测量,结果表明半导体器件的三维热分析是可能的。

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