ALDを用いた陽極酸化ポーラスアルミナの細孔径制御と気体吸着法による評価

摘要

適切な条件で作製された高規則性陽極酸化ポーラスアルミナは，独立した細孔が高度に規則配列した構造を有することから，フイルターやナノデバイス作製の出発構造として応用が期待されている.高規則性ポーラスアルミナの応用範囲の拡大のためには，制御可能な細孔径範囲の拡大,とりわけシングルnmスケールへの微細化が重要な課題とされる.本報告では，高精度な細孔径制御の実現が期待されるAtomic Layer Deposition(ALD)による細孔径制御と気体吸着法による評価についての詳細な検討結果を示す.ALDのポーラスアルミナヘの適用は，これまでも検討されているが，極く微細孔の精密細孔径制御に関する検討は報告されていない。