次世代EUV（極端紫外線）露光装置向け低分子フォトレジストの開発20nm世代での実用性能を達成

摘要

東芝は、極端紫外線EtJV露光装置による高解像露光に不可欠な低分子フォトレジストを開発し、世界で初めて20nm世代の回路パターンでの実用性能を達成した。半導体デバイスでは回路パターンの微細化が進み、回路線幅は30nmオーダーから2013年には20nmに到達しようとしている。しかし、現在多用されている高分子レジストを用いた場合、分子が大きく低感度であるためにプロセス処理時間が増大してしまうなどの問題があった。また、20nmまで微細化した場合、感光剤のフォトレジストがパターン通りに解像せず、パターンの側壁に発生するラフネス（寸法の乱れ）が顕著にをる。