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机译:GaAs / Ge超晶格的生长和面内起伏在 - ΔSientedGE和GAAS基材:常规3D岛式纳米结构的形成
ASTAR IMRE 2 Fusionopolis Way Singapore 138634 Singapore;
Sun Yat Sen Univ Sch Elect &
Informat Technol State Key Lab Optoelect Mat &
Technol Guangzhou 510062 Guangdong Peoples R China;
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机译:GaAs / Ge超晶格的生长和面内起伏在 - ΔSientedGE和GAAS基材:常规3D岛式纳米结构的形成
机译:通过金属有机化学气相沉积在图案化精确定向(001)硅基板上的大面积直接异轴长度增长1550nm-nm ing-incum-pont结构
机译:在正好(001)取向的Ge / Si虚拟衬底上直接生长基于GaAs的结构:降低结构缺陷密度并在连续波电注入下在室温下观察电致发光
机译:关于图案化(001)InP基板的选择性MBE生长朝向实现<100的InGaAs脊量子线的实现
机译:GaAs:AlGaAs超晶格在周期性量子阱混合中的三波混合:建模,优化和参数生成。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:极性驱动GaAs(001)衬底上独立和横向GaAsP外延纳米线的同时生长
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数